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三极管的结构,三极管内部结构

分类:芯片解密常见问题 | 发布:芯片解密 |发表时间:2011-7-21

 

三极管的内部结构为两个PN结,由三层半导体区形成的。
 
三极管的结构特点:
        (1) 基区很薄,且掺杂浓度低;(2) 发射区掺杂浓度比基区和集电区高得多;(3) 集电结的面积比发射结大。
三极管内部结构
导体二极管内部只有一个PN结,若在半导体二极管P型半导体的旁边,再加上一块N型半导体如图5-1(a)所示。由图5-1(a)可见,这种结构的器件内部有两个PN结,且N型半导体和P型半导体交错排列形成三个区,分别称为发射区,基区和集电区。从三个区引出的引脚分别称为发射极,基极和集电极,用符号e、b、c来表示。处在发射区和基区交界处的PN结称为发射结;处在基区和集电区交界处的PN结称为集电结。具有这种结构特性的器件称为三极管。
三极管通常也称双极型晶体管(BJT),简称晶体管或三极管。三极管在电路中常用字母T来表示。因三极管内部的两个PN结相互影响,使三极管呈现出单个PN结所没有的电流放大的功能,开拓了PN结应用的新领域,促进了电子技术的发展。
因图5-1(a)所示三极管的三个区分别由NPN型半导体材料组成,所以,这种结构的三极管称为NPN型三极管,图5-1(b)是NPN型三极管的符号,符号中箭头的指向表示发射结处在正向偏置时电流的流向。
根据同样的原理,也可以组成PNP型三极管,图5-2(a)、(b)分别为PNP型三极管的内部结构和符号。
 ”符号时,因为该符号的箭头是由基极指向发射极的,说明当发射结处在正向偏置时,电流是由基极流向发射极。根据前面所讨论的内容已知,当PN结处在正向偏置时,电流是由P型半导体流向N型半导体,由此可得,该三极管的基区是P型半导体,其它的两个区都是N型半导体,所以该三极管为NPN型三极管。
 
图5-3(a)和图5-3(b)都是小功率管,图5-3(c)为中功率管,图5-3(d)为大功率管。

 

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